Диоды импульсные 2Д510А/НТ, 2Д510А9/НТ,2Д510А-5/НТ и диодные матрицы 2Д510АС9/НТ
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды 2Д510А/НТ, 2Д510А9/НТ, 2Д510А-5/НТ и диодные матрицы 2Д510АС9/НТ предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах радиотехнических и электронных устройств.
Конструктивно диоды выпускаются в металлокерамических корпусах и в бескорпусном исполнении.
Диоды 2А510А/НТ предназначены для ручной сборки (монтажа) аппаратуры, диоды 2Д510А9/НТ и диодные матрицы 2Д510АС9/НТ – для автоматизированной сборки (монтажа) аппаратуры. Диоды 2Д510А-5/НТ, выпускаемые в бескорпусном исполнении, предназначены для работы в составе гибридных микросхем, обеспечивающих их герметизацию и защиту от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, повышенного и пониженного давления.
| Тип диода, диодной матрицы | Тип корпуса | Масса, г, не более |
|---|---|---|
| 2Д510А/НТ | КД-3 | 0,3 |
| 2Д510А9/НТ | КТ-99-1 | 0,3 |
| 2Д510А-5/НТ | ЯЮКЛ.432123.002-01ГЧ | 0,00012 |
| 2Д510АС9/НТ | КТ-99-1 | 0,3 |
Электрические параметры и характеристики при
Т = (25 ± 10) °С
Условные обозначения:
| Iобр | — постоянный обратный ток при Uобр = 50 В, мкА |
| Uпр | — постоянное прямое напряжение при Iпр = 200 мА, В |
| Uпр и | — импульсное прямое напряжение при импульсном прямом токе Iпр и = 1,5 А, В |
| ΔUпр | — разность постоянных прямых напряжений диодов при Iпр = 200 мА, В |
| tвос обр | — время обратного восстановления диода в режиме переключения с Iпр = 10 мА на Uобр и = 10 В при уровне отсчета Iобр = 2 мА, нс |
| Qвос | — заряд восстановления диода в режиме переключения с Iпр = 50 мА на Uобр и = 10 В, пКл |
| Cд | — общая емкость при нулевом смещения, пФ |
| rд | — дифференциальное сопротивление диода в открытом состоянии при Iпр = 100 мА, Ом |
| RΘ | — тепловое сопротивление переход–корпус диода, °С/Вт |
| Тип диода | Iобр | Uпр | Uпр и | tвос обр | Qвос | Cд | rд | RΘ | ΔUпр |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2Д510А/НТ, 2Д510А9/НТ, 2Д510А-5/НТ, 2Д510АС9/НТ | ≤5,0 | ≤1,1 | ≤5,0 | ≤4,0 | ≤400,0 | ≤4,0 | ≤5,0 | ≤200,0 | ≤0,05* |
* — Параметр только для матрицы 2Д510АС9/НТ.
Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации
| Наименование параметра, единица измерения, режим измерения | Значение |
|---|---|
| Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В | 50 |
| Максимально допустимое импульсное обратное напряжение при Δи ≤ 2 мкс и Q ≥ 10, В | 70 |
| Максимально допустимый средний (постоянный) прямой ток, мА:
– при температуре от минус 60 до 50 °С – при температуре 125 °С |
200 100 |
| Максимально допустимый импульсный прямой ток при Δи ≤ 10 мкс без превышения Iпр ср max, мА:
– при температуре от минус 60 до 50 °С – при температуре 125 °С |
1500 500 |
| Ток перегрузки (ударный ток) при Δи ≤ 10 мкс и Q ≥ 50, А | 2 |
| Температура p-n перехода, °С | 150 |
|
|
|
Технические требования
Максимальная температура диодов при эксплуатации не более 125 °С, минимальная температура при эксплуатации минус 60 °С.
Допускаются изменения температуры среды от минус 60 до плюс 125 °С.
Гамма-процентная наработка диодов до отказа при Δ = 98,5% в режиме эксплуатации (при температуре p-n перехода 150 °С) не менее 160000 ч в пределах срока службы 25 лет.
Чертежи и схемы
