Формирование омических контактов к эпитаксиальным структурам GaAs/AlGaAs Ø 2, 3, 4”, n-type GaN/Al(In)GaN Ø 2, 3, 4”, p-type GaN/Al(In)GaN Ø 2, 3, 4”, к n – и p - type Si Ø 2, 3, 4”
В составе:
- Изготовление фоторезистивных масок методами контактной и бесконтактной литографии (электронная литография)
- Химическая и плазменная обработка поверхности структуры перед формированием омического контакта
- Напыление композиции металлов электронно-лучевым методом (холодная подложка)
- Удаление резиста (технология Lift-off)
- Вплавление контактной металлизации с помощью метода быстрого термического отжига (RTA) в контролируемой газовой среде
- Контроль ВАХ контактов и расчет удельного контактного сопротивления (при условии наличия тестов)
Формирование барьеров Шоттки к эпитаксиальным структурам GaAs/AlGaAs (затворы p-HEMT, барьерные контакты диодов Шоттки) Ø 2, 3, 4”, n-Si Ø 2, 3, 4”
В составе блока:
- Изготовление фоторезистивных масок контактным и бесконтактным (затворы HEMT от 300 нм) методами
- Химическая и плазменная обработка поверхности структуры перед формированием омического контакта
- Напыление композиции металлов термическим или электронно-лучевым методом (холодная подложка)
- Удаление резиста (технология Lift-off). Травление контактной металлизации по маске фоторезиста
- Термическая обработка контакта методами быстрой или длительной термической обработки
- Контроль ВАХ
Напыление тонких металлических пленок
- Термическое напыление пленок металлов толщиной до 0.5 мкм: Ti, Ni, Au, V
- Электронно-лучевое напыление пленок металлов толщиной до 0.5 мкм: Au, Ag, Al, Ni, Mo, Pt, Ti, V
- Магнетронное напыление пленок металлов толщиной до 0.5 мкм: V, Ni, Cr, Ti, Ta, Au
Напыление резистивных сплавов
- Магнетронное напыление сплавов: NiCr, WSi, РС1710, РС3710
Напыление просветляющих проводящих пленок ITO (In2O3)0,9 - (SnO2)0,1)
- Магнетронное напыление тонких проводящих прозрачных пленок ITO c удельным сопротивлением 10-3 – 10-4 Ом∙см
Металлизация отверстий глубиной до 100 мкм
- Магнетронное напыление металлизации в отверстия глубиной до 100 мкм
- Электрохимическое осаждение Au
Получение термического окисла на подложках Si Ø 2, 3 в диффузионных печах
- Получение пленок SiO2 методом термического окисления Si. Толщина окисла до 1 мкм
Проектирование и изготовление фотошаблонов
- Изготовление комплекта фотошаблонов по спецификации Заказчика:
a) для контактной фотолитографии
б) для проекционной фотолитографии (степпер) (1:1/1:5/1:10)
- Прямые прорисовки топологии на подложках заказчика метолом электронной или фотолитографии
- Проектирование топологии по чертежам заказчика для электронной или фотолитографии
- Чистка поверхности стекла и керамики от металлов
- Cоздание структур пониженной размерности для наноэлектроники и наномеханики на основе комплекса литографических методов, включающих электронную, проекционную и контактную литографию
Разделение на кристаллы
- Ориентированное надрезание и сквозное разделение пластин арсенида галлия, кремния, нитрида алюминия, поликора Ø 2, 3, 4” при толщине 500 мкм при размере чипа не менее 0,5 мм
Изготовление печатных плат на поликоре и нитриде алюминия по чертежам заказчика.
Изготовление сувенирной продукции (медали, значки и т. д.) на керемической и металлической основе с разноцветным покрытием, в том числе и напыление драгсодержащих металлов ( золото, серебро, платина, паладий) по эскизам заказчика.
Научно-образовательные услуги: экспериментальная поддержка курсовых работ, дипломных проектов, кандидатских и докторских диссертаций.
Количественный морфологический анализ и измерения линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур с применением методов сканирующей электронной микроскопии и профилометрии.
Контакты: Начальник комплекса ТКИС Филимонова Ирина Дмитриевна тел. +7 (3822) 288-494, e-mail: filimonova_id@niipp.ru
