Диоды арсенидогаллиевые меза-эпитаксиальные излучающие типов 3Л118А, 3Л118Б, 3Л118В, 3Л118Г в пластмассовом корпусе (тип корпуса КДИ-7 по ГОСТ 23448-79), предназначенные для работы в качестве источников непрерывного или импульсного инфракрасного излучения в радиоэлектронной аппаратуре.
Наведите курсор на фото для увеличенияНаименование параметра, режим
измерения, единицы измерения | Услов. обозн. | 3Л118А,
| 3Л118Б | 3Л118В | 3Л118Г |
---|---|---|---|---|---|
Мощность излучения, мВт, при Iпр = 150 мА | Pе
| ≥ 25 | ≥ 37
| ≥ 30
| ≥ 22
|
Постоянное прямое напряжение (при Iпр = 150 мА), В | Uпр | ≤ 2,2 | ≤ 2,2 | ||
Время нарастания импульса излучения (Iпр и = 0,2А, ϑимп = 500 нс) | tнар
| ≤ 100
| ≤ 30
| ||
Время спада импульса излучения, нс (Iпр и = 0,2А, ϑимп = 500 нс) | tсп
| ≤ 100
| ≤ 30
| ||
Длина волны излучения в максимуме спектральной
плотности, мкм | λ max
| 0,82 – 0,90
|
Наименование параметра, режим
измерения, единицы измерения | Услов. обозн. | 3Л118А,
АЛ118А | 3Л118Б | 3Л118В | 3Л118Г |
---|---|---|---|---|---|
Максимально допустимый постоянный прямой ток, мА
(от минус 60 до +35 °С) | Iпр max | 150 | 150 | 150 | 150 |
Максимально допустимый импульсный прямой ток
при ϑимп = 50 мкс и Q = 20, А – в интервале температур от минус 60 до +35 °С – при +85 °С | Iпр и max | 2,00
0,75 | 2,00
0,75 | 2,00
0,75 | 2,00
0,75 |
Максимально допустимое постоянное обратноенапряжение, В | Uобр max | 2 | |||
Минимальная импульсная мощность излучения
при температуре (25±10) °С, мВт – при Iпр и = 2,0 А | Ри min |
167 |
250 |
200 |
150 |
Примечание:Значения максимально допустимого импульсного тока при длительности более 50 мкс и других скважностях определяются в соответствии с РД 11 0095-84.
Время задержки при включении/выключении импульса излучения не более 10 нс.
Зависимость мощности излучения диодов от постоянного прямого тока в диапазоне температур от минус 60 °С до +85 °С линейная.
Допускается применение диодов 3Л118А при Iпр max до 75 мА, диодов 3Л118Б, 3Л118В, 3Л118Г — при Iпр max до 225 мА и при температуре окружающей среды до 100 °С, при этом минимальная наработка в зависимости от режима эксплуатации определяется по приведенному графику.
Допустимое значение статического потенциала 2000 В
Диапазон рабочих температур от минус 60 °С до +85 °С
Масса диода не более 0,2 г.
Соединение выводов диода с элементами схемы допускается производить любым способом, соблюдая следующие требования:
Допускается монтировать диоды во втулке с согласованным коэффициентом расширения либо через эластомер. Корпус диода изготовлен из эпоксидного компаунда с температурным коэффициентом линейного расширения 6010–5 1/°С, внутренний держатель – из меди МОб по ГОСТ 859. Крепление диода производить не ближе 2,5 мм от вершины линзы.