Диоды излучающие серии 3Л148
Гетероэпитаксиальные мощные излучающие диоды на основе твердых растворов арсенида галлия – арсенида алюминия. Диоды изготовлены в металлополимерном корпусе монолитной конструкции, с применением мезапланарной технологии и предназначены для работы в качестве мощного источника ИК излучения с длиной волны 850–900 нм.
Наведите курсор на фото для увеличенияОбласти применения
- оптическая связь с открытым каналом
- приборы ночного видения с активной подсветкой
- имитация целей и подавление систем ночного видения
- подсветка видеосъемки
- ИК дальнометрия
- охранные системы больших периметров
- координатные измерители длинномерных изделий и т. д.
- Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода не менее 3 мм.
- Расстояние от корпуса до места лужения и пайки проволочного вывода 5 мм. Температура припоя 260 °С, время пайки 4 с, время лужения 4 с. В качестве теплоотвода при пайке применять плоский медный пинцет с шириной губок не менее 3 мм и толщиной не менее 2 мм.
Электрические параметры и характеристики
при(Т = 25 ± 10) оС
| Наименование параметра, режим и условия измерения | Условн. обозн. | Значение параметра |
|---|---|---|
| Мощность излучения, мВт
Iпр и = 6 А, Q = 2, τимп = (20–50) мкс Iпр = 1 А | Ре | ≥ 700
≥ 150 |
| Сила излучения максимальная (Iпр = 1 А), мВт/ср | Iе max | ≥ 535 |
| Импульсное прямое напряжение (Iпр и = 6 А, Q = 2,
τимп = (20–50) мкс), В | Uпр и | ≤ 4,5 |
|
Постоянное прямое напряжение (Iпр = 1А), В | Uпр | ≤ 2,1 |
| Угол излучения*), градус | θ | 10–70 |
| Время нарастания/спада импульса излучения
(Iпр = 0,3 А), нс | tнар/tсп | 50 (тип) |
В указанном диапазоне значений угла излучения возможна поставка диодов по заказу потребителя с разбросом значений ±5° в партии либо со значениями угла излучения не более заданной потребителем величины.
Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации
| Наименование параметра, режим измерения, единицы измерения | Условн. обозн. | Значение параметра |
|---|---|---|
| Максимально допустимый импульсный прямой ток (I пр и = 6 А, Q = 2, τимп = (20–50) мкс) в интервале температур от минус 60 до +85 °С, А | I пр и max | 6 |
| Максимально допустимый постоянный прямой ток в интервале температур от минус 60 до +85 °С, А | I пр max | 1 |
| Максимально допустимое постоянное обратное напряжение (Iобр ≤ 50 мкА, Токр = 25 °С), В | Uобр max | 2,5 |
Примечание:Допустимое значение статического потенциала 2000 В
Диапазон рабочих температур от минус 60 °С до +85 °С
При измерениях, испытаниях и эксплуатации необходимо использовать внешний теплоотвод, который вместе с теплоотводом (выводом) диодов должен обеспечивать поддержание температуры корпуса (25±10) °С при нормальных условиях окружающей среды и не более 90 °С при температуре 85 °С.
Минимальная наработка диодов в режиме Iпр и = 6 А, Q = 2,τимп = (20–50) мкс при температуре окружающей среды Токр = (25±10) °С — 20 ч, минимальная наработка диодов в режиме Iпр = 1 А при температуре окружающей среды Токр = (25±10) °С — 15000 ч.
Гамма-процентный срок сохраняемости диодов при γ = 95% не менее 25 лет.
Масса диода не более 5 г.
Монтаж диодов
Чертежи и схемы
