Диоды гетероэпитаксиальные арсенидогаллиевые – арсенидоалюминиевые с применением мезапланарной технологии 3Л153А, 3Л153А1, 3Л153Б, 3Л153Б1, 3Л153В, 3Л153В1, 3Л153В1М изготовлены в металлокерамическом корпусе и предназначены для работы в качестве источников инфракрасного излучения в аппаратуре специального назначения.
Наведите курсор на фото для увеличенияНаименование параметра, режим измерения, единицы измерения | Букв. обозн. | 3Л153А, 3Л153А1 | 3Л153Б, 3Л153Б1 | 3Л153В, 3Л153В1 |
---|---|---|---|---|
Мощность излучения (Iпр и = 300 мА, τимп ≤ 5 мс, Q ≥ 2), мВт | Ре | ≥ 60 | ≥ 60 | ≥ 40 |
Мощность излучения (Iпр = 300 мА), мВт | Ре | ≥ 50 | ≥ 50 | ≥ 40 |
Мощность излучения (Iпр и = 1 А, τимп ≤ 0,1 мс, Q ≥ 9), мВт | Ре | ≥ 120 | ≥ 180 | – |
Постоянное прямое напряжение
(Iпр = 300 мА), В | Uпр | ≤ 2,2 | ≤ 2,2 | ≤ 2,0 |
Время нарастания импульса излучения
(Iпр и = 300 мА, τимп = 5 мкс, f = 1 кГц), нс | tнар | ≤ 350 | ≤ 350 | – |
Время нарастания импульса излучения
(Iпр и = 200 мА, τимп = 0,5 мкс, f = 10 кГц), нс | tнар | – | – | ≤ 20 |
Время спада импульса излучения
(Iпр и = 300 мА, τимп = 5 мкс, f = 1 кГц), нс | tсп | ≤ 350 | ≤ 350 | – |
Время спада импульса излучения
(Iпр и = 200 мА, τимп = 0,5 мкс, f = 10 кГц), нс | tсп | – | – | ≤ 30 |
Длина волны излучения в максимуме спектральной плотности (Iпр = 300 мА), нм | λmax | 900–960 | 840–900 |
Наименование параметра, режим измерения, единицы измерения | Букв. обозн. | 3Л153А, 3Л153А1, 3Л153Б, 3Л153Б1 | 3Л153В, 3Л153В1 |
---|---|---|---|
Максимально допустимый импульсный прямой ток при Jимп ≤ 5 мс и Q ≥ 2, мА
– в интервале температур от минус 60 до +35 °С – при +85 °С | Iпр и max | 300
100 | 300
100 |
Максимально допустимый импульсный прямой ток при τимп ≤ 0,1 мс и Q ≥ 9, А
– в интервале температур от минус 60 до +35 °С – при +85 °С | Iпр и max | 1
0,3 | –
– |
Максимально допустимый постоянный прямой ток, мА
– в интервале температур от минус 60 до +35 °С – при +85 °С | Iпр max | 300
100 | 300
100 |
Примечание:Максимально допустимая температура перехода 100 °С
Допустимое значение статического потенциала 2000 В
Диапазон рабочих температур от минус 60 °С до +85 °С
Минимальная наработка диодов в режиме Iпр = 300 мА при Токр = (25±10) °С составляет 25000 ч, в режиме Iпр и = 300 мА, ϑимп ≤ 5 мс, Q ≥ 2 — 50000 ч; для диодов 3Л153А, 3Л153А1, 3Л153Б, 3Л153Б1 минимальная наработка в режиме Iпр и = 1 А, ϑимп ≤ 0,1 мс, Q ≥ 9 составляет 25000 ч.
Минимальный срок сохраняемости 25 лет
Масса диода не более 0,5 г