Диоды импульсные 3Д713А – Ж, 3Д713А1 – Ж1
Арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные импульсные диоды с барьером Шоттки типов 3Д713А – Ж, 3Д713А1 – Ж1 в металлокерамическом корпусе КД-4А предназначены для работы в импульсных, переключательных и выпрямительных схемах на частотах до 1 ГГц аппаратуры. По заказу потребителя диоды могут поставляться комплектами (до 10 шт. в комплекте) с разбросом постоянного прямого напряжения между диодами в комплекте не более 0,05 В при токе 0,5 или 1 А. По техническим характеристикам диоды 3Д713 заменяют диоды 2Д805, 2Д237, 2Д708А, 2Д708Б.
Электрические параметры и характеристики при Т = (25 ± 10) °С
Условные обозначения:
| Cд | — общая емкость диода (при Uобр = 5 В), не более, пФ |
| Uпр | — постоянное прямое напряжение диода при прямом токе 1 А, В (для 3Д713И, 3Д713И1 при прямом токе 0,5А) |
| Iобр | — постоянный обратный ток, мкА |
| Uобр max | — максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В |
| Uобр и max | — максимально допустимое импульсное обратное напряжение, В |
| Тип диода |
Cд, не более |
Uпр, не более |
Iобр (Uобр), не более |
Uобр max (Uобр и max) |
|---|---|---|---|---|
| 3Д713А, А1 | 20 | 1,3 | 5 (225 В) | 225 |
| 3Д713Б, Б1 | 20 | 1,2 | 5 (200 В | 200 |
| 3Д713В, В1 | 25 | 1,2 | 5 (175 В) | 175 |
| 3Д713Г, Г1 | 30 | 1,1 | 5 (150 В) | 150 |
| 3Д713Д, Д1 | 35 | 1,1 | 5 (125 В) | 125 |
| 3Д713Е, Е1 | 20 | 1,4 | 5 (225 В) | 225 |
| 3Д713Ж, Ж1 | 20 | 1,4 | 5 (200 В) | 200 |
| 3Д713И, И1 | 5,5 | 1,8 | 5 (200 В) | 225 |
По заказу потребителя возможна поставка изделий с индексом «ОСМ».
Предельно допустимые параметры
Максимально допустимый импульсный прямой ток диода при длительности импульса менее 40 мкс и скважности более 50 равен 7,5 А.
Максимально допустимый импульсный прямой ток диода при длительности импульса не более 10 мкс и скважности не менее 10 равен 2,5 А.
Максимально допустимый постоянный прямой (или средний прямой) ток диода 0,5 А.
Максимально допустимый повторяющийся импульсный прямой ток диода при длительности импульса менее 10 мс равен 1,5 А.
Предельно допустимое значение частоты при выпрямлении напряжения синусоидальной формы или формы меандра 3 ГГц.
Технические требования
Максимальная температура диодов при эксплуатации не более 125 °С. Минимальная температура диодов при эксплуатации минус 60 °С. Допускаются изменения температуры среды от минус 60 до плюс 125 °С. Максимально допустимая температура кристалла 150 °С.
Минимальная наработка в режимах и условиях, допускаемых ТУ, 80000 ч.
Минимальная наработка в облегченных режимах (при Iпр = 0,75 А и Uобр = 0,8 Uобр max) 120000 ч.
Изготовитель гарантирует время обратного восстановления диодов не более 100 пс.
Указания по эксплуатации
Способы соединения (монтажа) диодов 3Д713 с элементами аппаратуры – пайка (в том числе групповая), другие соединения при сохранении целостности конструкции. Применяемый припой при пайке – ПОС 61, ПОС 40 и другой неактивный. Температура припоя при лужении и пайке не более 265 °С.
Расстояние от корпуса до начала изгиба выводов не менее 3 мм. Допускается изгиб выводов рядом с корпусом, но инструмент должен обеспечивать отсутствие натяжения и неподвижность вывода относительно корпуса, при этом радиус изгиба выводов должен быть не менее 0,3 мм.
При монтаже диодов допускается пайка непосредственно к кристаллодержателю диода, при этом допускается обрезка вывода около корпуса.
Чертежи и схемы
