Диоды импульсные 3Д713А – Ж, 3Д713А1 – Ж1
Арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные импульсные диоды с барьером Шоттки типов 3Д713А – Ж, 3Д713А1 – Ж1 в металлокерамическом корпусе КД-4А предназначены для работы в импульсных, переключательных и выпрямительных схемах на частотах до 1 ГГц аппаратуры специального назначения. По заказу потребителя диоды могут поставляться комплектами (до 10 шт. в комплекте) с разбросом постоянного прямого напряжения между диодами в комплекте не более 0,05 В при токе 0,5 или 1 А. По техническим характеристикам диоды 3Д713 заменяют диоды 2Д805, 2Д237, 2Д708А, 2Д708Б.
Электрические параметры и характеристики при Т = (25 ± 10) °С
Условные обозначения:
| Cд | — общая емкость диода (при Uобр = 5 В), не более, пФ |
| Uпр | — постоянное прямое напряжение диода при прямом токе 1 А, В |
| Iобр | — постоянный обратный ток, мкА |
| Uобр max | — максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В |
| Uобр и max | — максимально допустимое импульсное обратное напряжение, В |
| Тип диода | Cд,
не более | Uпр,
не более | Iобр (Uобр),
не более | Uобр max
(Uобр и max) |
|---|---|---|---|---|
| 3Д713А, А1 | 20 | 1,3 | 5 (225 В) | 225 |
| 3Д713Б, Б1 | 20 | 1,2 | 5 (200 В | 200 |
| 3Д713В, В1 | 25 | 1,2 | 5 (175 В) | 175 |
| 3Д713Г, Г1 | 30 | 1,1 | 5 (150 В) | 150 |
| 3Д713Д, Д1 | 35 | 1,1 | 5 (125 В) | 125 |
| 3Д713Е, Е1 | 20 | 1,4 | 5 (225 В) | 225 |
| 3Д713Ж, Ж1 | 20 | 1,4 | 5 (200 В) | 200 |
По заказу потребителя возможна поставка изделий с индексом «ОСМ».
Предельно допустимые параметры
Максимально допустимый импульсный прямой ток диода при длительности импульса менее 40 мкс и скважности более 50 равен 15 А.
Максимально допустимый импульсный прямой ток диода при длительности импульса не более 10 мкс и скважности не менее 10 равен 5 А.
Максимально допустимый постоянный прямой (или средний прямой) ток диода 1 А.
Максимально допустимый повторяющийся импульсный прямой ток диода при длительности импульса менее 10 мс равен 3 А.
Предельно допустимое значение частоты при выпрямлении напряжения синусоидальной формы или формы меандра 1 ГГц.
Технические требования
Максимальная температура диодов при эксплуатации не более 125 °С. Минимальная температура диодов при эксплуатации минус 60 °С. Допускаются изменения температуры среды от минус 60 до плюс 125 °С. Максимально допустимая температура кристалла 150 °С.
Минимальная наработка в режимах и условиях, допускаемых ТУ, 80000 ч.
Минимальная наработка в облегченных режимах (при Iпр = 0,75 А и Uобр = 0,8 Uобр max) 120000 ч.
Изготовитель гарантирует время обратного восстановления диодов не более 100 пс.
Указания по эксплуатации
Способы соединения (монтажа) диодов 3Д713 с элементами аппаратуры – пайка (в том числе групповая), другие соединения при сохранении целостности конструкции. Применяемый припой при пайке – ПОС 61, ПОС 40 и другой неактивный. Температура припоя при лужении и пайке не более 265 °С.
Расстояние от корпуса до начала изгиба выводов не менее 3 мм. Допускается изгиб выводов рядом с корпусом, но инструмент должен обеспечивать отсутствие натяжения и неподвижность вывода относительно корпуса, при этом радиус изгиба выводов должен быть не менее 0,3 мм.
При монтаже диодов допускается пайка непосредственно к кристаллодержателю диода, при этом допускается обрезка вывода около корпуса.
Чертежи и схемы
