Диоды арсенидогаллиевые меза-эпитаксиальные излучающие типа АЛ118А в пластмассовом корпусе (тип корпуса КДИ-7), предназначенные для работы в качестве источников непрерывного или импульсного инфракрасного излучения в радиоэлектронной аппаратуре, изготовляемые для народного хозяйства.
Наведите курсор на фото для увеличенияКорпус диода изготовлен из эпоксидного компаунда с температурным коэффициентом линейного расширения 60·10–5 1/°С, внутренний держатель – из меди МОб по ГОСТ 859.
Наименование параметра, режим
измерения, единицы измерения | Услов. обозн. | АЛ118А,
| |||
---|---|---|---|---|---|
Мощность излучения в угле 90°, мВт, при Iпр = 50 мА | P90
| ≥ 2 | |||
Постоянное прямое напряжение (при Iпр = 50 мА), В
| Uпр | ≤ 1,7 | |||
Время нарастания импульса излучения (Iпр и = 50мА, ϑимп = 500 нс) | tнар
| ≤ 100
| |||
Время спада импульса излучения, нс (Iпр и = 50мА, ϑимп = 500 нс) | tсп
| ≤ 100
| |||
Длина волны излучения в максимуме спектральной плотности, нм | λ max
| 820-900
|
Наименование параметра, режим
измерения, единицы измерения | Услов. обозн. | АЛ118А | |||
---|---|---|---|---|---|
Максимально допустимый постоянный прямой ток, мА
(от минус 60 до +85 °С) | Iпр max | 50 | |||
Максимально допустимый импульсный прямой ток
при ϑимп = 50 мкс и Q = 20, А – в интервале температур от минус 60 до +35 °С – при +85 °С | Iпр и max |
0,5
0,35
| |||
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение
(от минус 60 до +85 °С), В | Uобр max | 2 | |||
Минимальная импульсная мощность излучения
при температуре (25±10) °С, мВт – при Iпр и = 0,5 А | Ри min | 10 |
Примечание:Значения максимально допустимого импульсного тока при длительности более 50 мкс и других скважностях определяются в соответствии с РД 11 0095-84. Время задержки при включении/выключении импульса излучения не более 10 нс.
Зависимость мощности излучения диодов от постоянного прямого тока в диапазоне температур от минус 60 °С до +85 °С линейная.
Допускается применение диодов 3Л118А при Iпр max до 75 мА, диодов 3Л118Б, 3Л118В, 3Л118Г — при Iпр max до 225 мА и при температуре окружающей среды до 100 °С, при этом минимальная наработка в зависимости от режима эксплуатации определяется по приведенному графику.
Допустимое значение статического потенциала 2000 В
Диапазон рабочих температур от минус 60 °С до +85 °С
Масса диода не более 0,2 г.
Соединение выводов диода с элементами схемы допускается производить любым способом, соблюдая следующие требования: